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    半導體放電管的特性是什么?

    • 分類:行業新聞
    • 作者:
    • 來源:
    • 發布時間:2022-07-14
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    半導體放電管,也稱浪涌抑制晶閘管,是用半導體工藝制作的PNPN結四層結構器件。其伏安特性與晶閘管相似,具有典型的開關特性。一般在電路中并聯應用。那么,半導體放電管的特性是什么?

    半導體放電管的特性是什么?

    [Summary]半導體放電管,也稱浪涌抑制晶閘管,是用半導體工藝制作的PNPN結四層結構器件。其伏安特性與晶閘管相似,具有典型的開關特性。一般在電路中并聯應用。那么,半導體放電管的特性是什么?

    • 分類:行業新聞
    • 作者:
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    • 發布時間:2022-07-14
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     半導體放電管的特性是什么?


    半導體放電管,也稱浪涌控制晶閘管,是用半導體工藝制作的PNPN結四層結構器件。其伏安特性與晶閘管相似,具有典型的開關特性。一般在電路中并聯應用。那么,半導體放電管的特性是什么?


    半導體放電管的特性是什么?

    放電管

    1、準確的導通擊穿電壓,反向截止電壓范圍為6V-600v;


    2、快速響應速度:小于1nS。


    3、在8/20s的波形下,通量為幾百安培;


    4、結電容低,電容值從幾十皮法到一百皮法以上;


    5、漏電流很小,通常為幾微安甚至幾十分之一微安;


    6、有插件、補丁、數組等封裝形式。


    半導體放電管選型指南是什么?


    1、半導體放電管的反向截止電壓應大于被保護電路的工作電壓,否則不僅影響被保護電路的正常工作,還會影響TSS的使用壽命;


    2、瞬時峰值電流IPP要大于通信設備標準的規定值;


    3、轉折電壓應小于被保護電路允許的瞬時峰值電壓;


    4、當半導體放電管處于導通狀態時,損耗的功率應小于其額定功率;


    5、如果想讓半導體放電管通過大浪涌電流后自行復位,器件的保持電流IH要大于系統所能提供的電流值。


    半導體放電管參數注解有哪些?


    1、VDRM:反向截止電壓,又稱關態重復峰值電壓,是在關態時刻施加的包括所有DC和重復電壓分量的額定瞬時電壓;


    2、IDRM:反向大漏電流,又稱關態重復峰值電流,指施加關態重復峰值電壓VDRM產生的峰值關態電流;


    3、IH:維持電流,保持晶閘管導通的小電流;


    4、VT:通態電壓,在規定的通態電流IT條件下器件兩端的電壓;


    5、IT:通態電流,通態條件下流過器件的電流;


    6、VS:開關電壓,其被定義為在器件被切換到導通狀態之前,擊穿區域結束時器件兩端的瞬時電壓;


    7、IS:開關電流,開關電壓VS條件下流經器件的瞬時電流;


    8、VPP:峰值脈沖電壓,半導體放電管在給定波形下能通過的大峰值脈沖電壓;


    9、IPP:峰值脈沖電流,半導體放電管在給定波形下能通過的大峰值脈沖電流;


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