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    半導體放電管的工作狀態是怎樣的?

    • 分類:行業新聞
    • 作者:
    • 來源:
    • 發布時間:2022-08-01
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    半導體放電管是利用晶閘管原理制作的過電壓保護裝置。PN結擊穿電流會誘發器件的導通放電,可以流過大的浪涌電流或脈沖電流。其擊穿電壓范圍構成了過電壓保護的范圍。那么半導體放電管的工作狀態是怎樣的?

    半導體放電管的工作狀態是怎樣的?

    [Summary]半導體放電管是利用晶閘管原理制作的過電壓保護裝置。PN結擊穿電流會誘發器件的導通放電,可以流過大的浪涌電流或脈沖電流。其擊穿電壓范圍構成了過電壓保護的范圍。那么半導體放電管的工作狀態是怎樣的?

    • 分類:行業新聞
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    • 發布時間:2022-08-01
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     半導體放電管的工作狀態是怎樣的?


    半導體放電管是利用晶閘管原理制作的過電壓保護裝置。PN結擊穿電流會誘發器件的導通放電,可以流過大的浪涌電流或脈沖電流。其擊穿電壓范圍構成了過電壓保護的范圍。那么半導體放電管的工作狀態是怎樣的?

    放電管

    半導體放電管的工作狀態是怎樣的?


    包括反向工作狀態(k端為正、a端為負)和正向工作狀態(a端為正、k端為負)。


    1、阻斷區:此時器件兩端電壓低于擊穿電壓,J1為正向偏壓,J2為反向偏壓,電流小,起到切斷電流的作用。施加電壓大部分施加在J2上。


    2、雪崩區:當外加電壓上升到接近J2結雪崩擊穿電壓時,反向偏壓J2結的空間電荷區寬度擴大,同時結區電場大大增強,倍增效應增強。因此,通過J2結的電流急劇加大,流向器件的電流也加大。這就是電壓加大、電流急劇加大的雪崩區域。


    3、負阻區:當外加電壓大于VBO時,雪崩倍增效應會產生大量電子空穴對。此時,在強電場作用下,這些載流子進入n2區,空穴進入p1區,不能快速復合而單獨沉積,使J2空間電荷區變窄。因此,p1區域的電位增加,n2區域的電位降低,這抵消了外部電壓。隨著J2結中的電場變小,J2結上的外部電壓變小,雪崩效應也變小。另外,引起J1和OY3帶結直流電壓增加,注入增加,通過J2結的電流增加,電流增加,電壓降低的負阻現象。


    4、低阻通態區:雪崩效應導致J2結兩側積累空穴和電子,J2結反向偏壓降低;同時,J1和OY3能帶結的注入得到加強,電流增加。其結果,電荷持續蓄積在J2結的兩側,結電壓降低。當雪崩倍增完全停止,結電壓完全抵消,空穴和電子仍然蓄積在J2結兩側時,J2結變為正偏壓。此時,J1、J2、OY3帶均為正向偏壓,器件可以流過大的電流,因此處于低電阻導通狀態區域。完全導通時,其伏安特性曲線與整流元件相似。


    固體放電管也稱為半導體放電管。使用時,固體放電管可以直接跨越被保護電路的兩端。半導體放電管有調制解調器、傳真機、PBX系統、電話、POS系統、模擬和數碼卡等廣泛應用。


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