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    半導體放電管的特性參數是什么?

    • 分類:行業新聞
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    • 來源:
    • 發布時間:2022-08-08
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    半導體放電管(也稱為固體放電管)是使用沒有由自由電壓控制的柵極的晶閘管的PNPN模塊。當電壓超過關閉狀態的峰值電壓(或雪崩電壓)時,半導體放電將瞬態電壓箝位在模塊的開關電壓(或反轉電壓)上。當電壓持續上升時,由于負電阻效應,半導體放電管變為導通狀態。僅當電流小于保持電流時,元件才會復位并返回高阻狀態。那么半導體放電管的特性參數是什么?

    半導體放電管的特性參數是什么?

    [Summary]半導體放電管(也稱為固體放電管)是使用沒有由自由電壓控制的柵極的晶閘管的PNPN模塊。當電壓超過關閉狀態的峰值電壓(或雪崩電壓)時,半導體放電將瞬態電壓箝位在模塊的開關電壓(或反轉電壓)上。當電壓持續上升時,由于負電阻效應,半導體放電管變為導通狀態。僅當電流小于保持電流時,元件才會復位并返回高阻狀態。那么半導體放電管的特性參數是什么?

    • 分類:行業新聞
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    半導體放電管的特性參數是什么?


    半導體放電管(也稱為固體放電管)是使用沒有由自由電壓控制的柵極的晶閘管的PNPN模塊。當電壓超過關閉狀態的峰值電壓(或雪崩電壓)時,半導體放電將瞬態電壓箝位在模塊的開關電壓(或反轉電壓)上。當電壓持續上升時,由于負電阻效應,半導體放電管變為導通狀態。僅當電流小于保持電流時,元件才會復位并返回高阻狀態。那么半導體放電管的特性參數是什么?

    放電管

    半導體放電管的特性參數是什么?


    1、斷態電壓VRM和漏電流IRM:斷態電壓VRM表示半導體續流扇區不導通的電壓,在該電壓下漏電流IRM很小。


    2、擊穿電壓VBR:規定的試驗電流IR(一般為1mA)流動時的電壓。這是表示半導體浪涌保護器開始導通的標識電壓。


    3、轉折電壓VBO和轉折電流IBO:當電壓上升到反相電壓VBO時(對應的電流為反相電流IBO),半導體浪涌保護器完全導通,呈現小阻抗,兩端電壓VT立即降低到低值(通常為5V左右)


    4、峰值脈沖電流IPP:半導體浪涌保護器能承受的脈沖電流。


    5、維持電流IH:半導體飛輪保護器維持導通電流。當流過的電流小于保持電流IH時,返回截止狀態。


    6、靜態電容C:半導體電涌保護器的電容值。


    選擇半導體放電管時應該注意的問題是什么?


    1.瞬時峰值電流IPP要大于通信設備標準的規定值。例如,FCC Part68A型IPP應大于100A;Bellcore 1089的IPP應該大于25 A。


    2.開關電壓Vs要小于保護電路允許的瞬時峰值電壓。


    3.峰值關斷狀態的電壓要大于保護對象電路的工作電壓。例如,在pots APP應用中,振鈴電壓(150V)峰值電壓(150*1.41=212.2V)與峰值DC偏置電壓(56.6V)之和為268.8V,因此VBR大于268.8V的器件


    4.器件的保持電流IH要大于系統能提供的電流值,以便在有較大的浪涌電流流過后半導體放電管自行恢復。也就是說,IH(系統電壓/電源阻抗)。


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