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    單向可控硅特征是什么?

    • 分類:行業新聞
    • 作者:
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    • 發布時間:2022-08-15
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    晶體管是P1N1P2N2的四層三端組件。有三個PN結。分析原理的時候,可以把它看成一個PNP管和一個NPN管。它的同輩,那么單向可控硅特征是什么?

    單向可控硅特征是什么?

    [Summary]晶體管是P1N1P2N2的四層三端組件。有三個PN結。分析原理的時候,可以把它看成一個PNP管和一個NPN管。它的同輩,那么單向可控硅特征是什么?

    • 分類:行業新聞
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     單向可控硅特征是什么?


    晶體管是P1N1P2N2的四層三端組件。有三個PN結。分析原理的時候,可以把它看成一個PNP管和一個NPN管。它的同輩,那么單向可控硅特征是什么?

    單向可控硅

    單向可控硅特征是什么?


    1.單向可控硅甲狀腺手機是以硅單晶為基本材料的四鎮器件P1N1P2N2。它成立于1957年。由于其特性與真空門相似,國際上通常稱之為硅晶體門、晶體管。因為晶體管一開始用于可控整流,所以也叫晶閘管整流元件,簡稱晶體管的SCR??煽毓枋且环N大功率半導體器件,它能控制較大的電流和功率,用來進行電機調速、電鍍、電解、充電、勵磁、恒溫、調壓、穩壓、無觸點開關、變頻其他人的角色。


    2.當陽極A加正電壓時,BG1和BG2管被放大。此時,如果從控制極G輸入一個正的觸發信號,BG2有一個基流IB2流。BG2放大后,其集電極電流IC2=2IB2。因為BG2劇集直接連接到BG1的底座,所以IB1=IC2。此時,電流IC2被BG1放大,因此BG1的集電極電流IC1=1IB1=12IB2。這個電流流回BG2的基極形成正反饋增加IB2。作為反饋循環的結果,兩個管的電流增加,并且晶體管可以飽和。


    3.反向特性當控制極點時,陽極加上反向電壓,J2為正,但J1和J2為負。此時只能流過很小的反向飽和電流。當電壓進一步增加到J1結的雪崩擊穿時,過渡OY3帶結也被擊穿,電流迅速增加。如本段所示,彎管的電壓URO稱為“反向轉折電壓”。此時,硅可以反轉。由于BG1和BG2的正反饋作用,一旦門電路開啟,即使極值G的控制電流消失,該晶體管仍能維持功能,因此這種晶體管是不可抗拒的。


    4.積極的特征當控制打開時,陽極正電壓,J1和OY3帶為正,但J2反向,類似于普通PN結的反向特性。電流,這叫正阻斷狀態。當電壓增加時,圖3的特性已經彎曲。如果顯示特征OA部分,彎曲區域稱為UBO,即:正向翻轉電壓當電壓增加到J2雪泊亞擊穿后,J2結中出現了雪崩增加效應,結中產生了大量的電子和空穴。


    5.單向可控硅電子公司在N1成立,并進入P2地區。進入N1區域的電子通過P1區域的J1區域與N1區域的注射穴位復合。進入P2地區的電子器件和空腔不能再結合。這樣,N1地區將聚集電子產品。在P2地區,會有空洞的穴位堆積。因此,P2地區的潛力增加了。它變得積極。只要電流稍有增加,電壓就迅速下降,出現了所謂的負阻。3.觸發分流當正電壓加到控制極G時,JBOY3帶偏置。當P2地區的穴位進入N2地區,N2地區的電子進入P2地區,形成觸發電流IGT。在晶體管中反饋效應的基礎上,加入IGT效應,使晶體管提前,產生了左側的電壓OA段。IGT越大,特征出現得越快。


    6.此時,J1、J2和JBOY3帶的三個節點處于正偏置,晶體管在狀態下進入狀態。此時,其特征類似于正常的PN正特征。為了驅動晶體管,一個是在其陽極A和陰極K之間加一個正電壓,另一個是在其控制極G和陰極K之間輸入一個正的觸摸電壓,打開晶體管后,松開按鈕釋放按鈕,開關去掉觸摸電壓,保持多樣。


    7.單向晶閘管有三個頂點:陽極A、陰極K、控制極G,而晶體管有許多優點,例如:小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;非??焖俚捻憫?,微秒級內部內部內部內部內部內部水平關閉;無觸點操作,無火花,無噪音;有效、低成本等。晶體管的弱點:靜態和動態過載能力差;很容易受到干擾和誤導。水晶管的分類主要從形狀上分類:螺栓形、扁平形和平底形。


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