日韩精品中文字幕无码一区,无码欧精品亚洲日韩一区,国产精品亚韩精品无码A在线

<pre id="cgg5n"></pre>
<pre id="cgg5n"><del id="cgg5n"><menu id="cgg5n"></menu></del></pre>
  • <acronym id="cgg5n"></acronym>
  • <td id="cgg5n"></td>

    <track id="cgg5n"></track>

    <p id="cgg5n"></p>
  • <pre id="cgg5n"><label id="cgg5n"><menu id="cgg5n"></menu></label></pre>

    全采
    >
    >
    新聞中心
    >
    行業新聞

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容及阻容元件的選擇

    • 分類:行業新聞
    • 作者:
    • 來源:
    • 發布時間:2017-09-30
    • Visits:63

    一、晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中,常在其兩端并聯RC串聯網絡,該網絡常稱為RC阻容吸收電路?! ∥覀冎?,晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數-斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下,使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的最低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容及阻容元件的選擇

    [Summary]一、晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中,常在其兩端并聯RC串聯網絡,該網絡常稱為RC阻容吸收電路?! ∥覀冎?,晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數-斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下,使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的最低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開

    • 分類:行業新聞
    • 作者:
    • 來源:
    • 發布時間:2017-09-30
    • Visits:63
    詳情

    一、晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中,常在其兩端并聯RC串聯網絡,該網絡常稱為RC阻容吸收電路。

      我們知道,晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數-斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下,使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的最低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓,也可能發生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。

      在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態下,因各層相距很近,其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時,便會有充電電流流過電容C0,并通過J3結,這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時,陽極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下,晶閘管(可控硅)誤導通現象,即常說的硬開通,這是不允許的。因此,對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。

      為了限制電路電壓上升率過大,確保晶閘管(可控硅)安全運行,常在晶閘管(可控硅)兩端并聯RC阻容吸收網絡,利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感),所以與電容C串聯電阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C電路在過渡過程中,因振蕩在電容器兩端出現的過電壓損壞晶閘管(可控硅)。同時,避免電容器通過晶閘管(可控硅)放電電流過大,造成過電流而損壞晶閘管(可控硅)。

      由于晶閘管(可控硅)過流過壓能力很差,如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網絡就是常用的保護方法之一。

      二、整流晶閘管(可控硅)阻容吸收元件的選擇

      電容的選擇:

      C=(2.5-5)×10的負8次方×If
      If=0.367Id
      Id-直流電流值
      如果整流側采用500A的晶閘管(可控硅)
      可以計算C=(2.5-5)×10的負8次方×500=1.25-2.5mF
      選用2.5mF,1kv 的電容器

      電阻的選擇:

      R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56
      選擇10歐
      PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負12次方×R)/2
      Pfv=2u(1.5-2.0)
      u=三相電壓的有效值

    掃二維碼用手機看

    返回

    相關新聞

    單向可控硅測量方法是什么?

    單向可控硅測量方法是什么?

    選擇萬用表的R1檔,然后用紅黑表任意測量兩個弓。腳之間的正向電阻和反向電阻將一直用到管腳的讀數達到幾十歐姆為止。g紅色表筆的插針是陰極K,另一只空腳是陽極A,然后把黑色表筆拿到陽極A,紅色表筆仍然接在陰極K上,此時萬用表指針不動,那么單向可控硅測量方法是什么?
    2022-08-25
    單向可控硅的條件和注意事項是什么?

    單向可控硅的條件和注意事項是什么?

    晶管的條件并不難。一是電壓必須加在Aode和陰極之間,二是控制器也必須在方向上加電壓。以上兩個條件必須同時具備,二氧化硅才能分流。另外,一旦晶體管導通,即使降低控制極電壓或者去除控制極電壓,晶體管仍然導通,那么單向可控硅的條件和注意事項是什么?
    2022-08-18
    單向可控硅特征是什么?

    單向可控硅特征是什么?

    晶體管是P1N1P2N2的四層三端組件。有三個PN結。分析原理的時候,可以把它看成一個PNP管和一個NPN管。它的同輩,那么單向可控硅特征是什么?
    2022-08-15
    半導體放電管的特性參數是什么?

    半導體放電管的特性參數是什么?

    半導體放電管(也稱為固體放電管)是使用沒有由自由電壓控制的柵極的晶閘管的PNPN模塊。當電壓超過關閉狀態的峰值電壓(或雪崩電壓)時,半導體放電將瞬態電壓箝位在模塊的開關電壓(或反轉電壓)上。當電壓持續上升時,由于負電阻效應,半導體放電管變為導通狀態。僅當電流小于保持電流時,元件才會復位并返回高阻狀態。那么半導體放電管的特性參數是什么?
    2022-08-08
    上一頁
    1
    2
    ...
    10

    Copyright ? 2021 江蘇明芯微電子股份有限公司 版權所有.  蘇ICP備12046379號   網站建設:中企動力 南通

    明芯微
    日韩精品中文字幕无码一区,无码欧精品亚洲日韩一区,国产精品亚韩精品无码A在线